Samsung Electronics выпустила первую партию памяти NAND-флеш на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу. Чипы будут использоваться в картах microSD емкостью 8 ГБ в связке с 3-битными NAND контроллерами Samsung.

3-битная NAND память позволит создавать более дешевые потребительские устройства хранения данных с более высоким объемом памяти. Эффективность подобной памяти на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу на 50% превосходит показатели наиболее распространенной сейчас 2-битной NAND памяти.

Новое поколение памяти должно существенно увеличить долю NAND памяти в сегменте накопителей высокого объема (до 32ГБ), предназначенной для записи и проигрывания видео.